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Teilenummer STL57N65M5
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 16295 pcs
Referenzpreis
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$2.32

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Teilenummer STL57N65M5 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 16295 pcs Datenblatt STL57N65M5
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV Serie MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 189W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN
Andere Namen 497-13520-2 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 189W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)

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