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STL3N65M2

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Teilenummer STL3N65M2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 120708 pcs
Referenzpreis
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$0.165

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Product parameter

Teilenummer STL3N65M2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 120708 pcs Datenblatt STL3N65M2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (3.3x3.3) Serie MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 1A, 10V Verlustleistung (max) 22W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Tc)

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