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Teilenummer STL30N10F7
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 76628 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STL30N10F7 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 76628 pcs Datenblatt STL30N10F7
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) Serie DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4A, 10V Verlustleistung (max) 75W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN
Andere Namen 497-14540-2
STL30N10F7-ND		 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 38 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
detaillierte Beschreibung N-Channel 100V 30A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)

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