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STL23NM60ND

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Teilenummer STL23NM60ND
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 20826 pcs
Referenzpreis
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$1.811

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Product parameter

Teilenummer STL23NM60ND Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 20826 pcs Datenblatt STL23NM60ND
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV Serie FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 3W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN
Andere Namen 497-11205-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 19.5A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19.5A (Tc)

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