STH275N8F7-6AG
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| Teilenummer | STH275N8F7-6AG |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.00 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STH275N8F7-6AG | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 37660 pcs | Datenblatt | STH275N8F7-2AG/6AG |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | H2PAK-6 | Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 90A, 10V | Verlustleistung (max) | 315W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Andere Namen | 497-15474-2 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 38 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 193nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 80V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
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