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STGWA30H65DFB

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Teilenummer STGWA30H65DFB
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT
Bleifreier Status / RoHS Status
In Stock 38468 pcs
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Teilenummer STGWA30H65DFB Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 38468 pcs Datenblatt STGWA30H65DFB
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Testbedingung 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 46ns/146ns Schaltenergie 382µJ (on), 293µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Long Leads Serie HB
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 140ns Leistung - max 260W
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 149nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Through Hole TO-247 Long Leads
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A Strom - Kollektor (Ic) (max) 60A

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