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STGW60H65DF

STGW60H65DF
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Teilenummer STGW60H65DF
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT 650V 120A 360W TO247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 16586 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs
$3.409$2.937$2.55$2.221

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Product parameter

Teilenummer STGW60H65DF Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT 650V 120A 360W TO247 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 16586 pcs Datenblatt STGW60H65DF
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 60A Testbedingung 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 67ns/165ns Schaltenergie 1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 62ns Leistung - max 360W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Andere Namen 497-13105-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop Gate-Ladung 206nC
detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 120A 360W Through Hole TO-247 Strom - Collector Pulsed (Icm) 240A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 120A

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