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STGW30M65DF2

STGW30M65DF2
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Teilenummer STGW30M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 49923 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs1020 pcs
$1.397$1.121$1.022$0.827$0.698

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Product parameter

Teilenummer STGW30M65DF2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 49923 pcs Datenblatt STGW(A)30M65DF2 Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Testbedingung 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 31.6ns/115ns Schaltenergie 300µJ (on), 960µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 140ns Leistung - max 258W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Andere Namen 497-16485-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 80nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A Strom - Kollektor (Ic) (max) 60A

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