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STGP6M65DF2

STGP6M65DF2
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Teilenummer STGP6M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 109468 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$0.423$0.377$0.294$0.243$0.192

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Product parameter

Teilenummer STGP6M65DF2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 109468 pcs Datenblatt STGP6M65DF2 Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Testbedingung 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 12ns/86ns Schaltenergie 40µJ (on), 136µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Serie M
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 140ns Leistung - max 88W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen 497-16967 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 21.2nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220
Strom - Collector Pulsed (Icm) 24A Strom - Kollektor (Ic) (max) 12A

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