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STGP15M65DF2

STGP15M65DF2
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Teilenummer STGP15M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 83974 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$0.905$0.729$0.656$0.51$0.423

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Product parameter

Teilenummer STGP15M65DF2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 83974 pcs Datenblatt STGP15M65DF2 Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Testbedingung 400V, 15A, 12 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 24ns/93ns Schaltenergie 90µJ (on), 450µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 142ns Leistung - max 136W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen 497-16482-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop Gate-Ladung 45nC
detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Through Hole TO-220 Strom - Collector Pulsed (Icm) 60A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 30A

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