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STGP10M65DF2

STGP10M65DF2
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Teilenummer STGP10M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT 650V 10A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 77755 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Teilenummer STGP10M65DF2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT 650V 10A TO-220AB Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 77755 pcs Datenblatt STGP10M65DF2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Testbedingung 400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19ns/91ns Schaltenergie 120µJ (on), 270µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 96ns Leistung - max 115W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen 497-15840-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 28nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-220
Strom - Collector Pulsed (Icm) 40A Strom - Kollektor (Ic) (max) 20A

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