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STGF30M65DF2

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Teilenummer STGF30M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 59124 pcs
Referenzpreis
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Product parameter

Teilenummer STGF30M65DF2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 59124 pcs Datenblatt STGF30M65DF2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Testbedingung 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 31.6ns/115ns Schaltenergie 300µJ (on), 960µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP Serie M
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 140ns Leistung - max 38W
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 80nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 60A 38W Through Hole TO-220FP
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A Strom - Kollektor (Ic) (max) 60A

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