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STGE200NB60S

STGE200NB60S
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Teilenummer STGE200NB60S
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 5000 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
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Teilenummer STGE200NB60S Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5000 pcs Datenblatt STGE200NB60S
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 100A Supplier Device-Gehäuse ISOTOP
Serie PowerMESH™ Leistung - max 600W
Verpackung / Gehäuse ISOTOP Andere Namen 497-6731-5
STGE200NB60S-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor No
Befestigungsart Chassis Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 38 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 1.56nF @ 25V Eingang Standard
IGBT-Typ - detaillierte Beschreibung IGBT Module Single 600V 200A 600W Chassis Mount ISOTOP
Strom - Collector Cutoff (Max) 500µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 200A
Konfiguration Single

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