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STGD6M65DF2

STGD6M65DF2
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Teilenummer STGD6M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 115913 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		2500 pcs5000 pcs
$0.183$0.174

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Product parameter

Teilenummer STGD6M65DF2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 115913 pcs Datenblatt STGD6M65DF2 Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Testbedingung 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/90ns Schaltenergie 36µJ (on), 200µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie M
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 140ns Leistung - max 88W
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-16966-2 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop Gate-Ladung 21.2nC
detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK Strom - Collector Pulsed (Icm) 24A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 12A

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