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STGB30H65FB

STGB30H65FB
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Teilenummer STGB30H65FB
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT
Bleifreier Status / RoHS Status
In Stock 71037 pcs
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Product parameter

Teilenummer STGB30H65FB Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 71037 pcs Datenblatt Power Mgmt Guide BrochureSTGB30H65FB
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Testbedingung 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 37ns/146ns Schaltenergie 151µJ (on), 293µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie HB
Leistung - max 260W Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop Gate-Ladung 149nC
detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Surface Mount D2PAK Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 60A

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