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STGB20M65DF2

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Teilenummer STGB20M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 76721 pcs
Referenzpreis
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$0.503

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Teilenummer STGB20M65DF2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 76721 pcs Datenblatt STGB20M65DF2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Testbedingung 400V, 20A, 12 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 26ns/108ns Schaltenergie 140µJ (on), 560µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie M
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 166ns Leistung - max 166W
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 63nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 40A 166W Surface Mount D2PAK
Strom - Collector Pulsed (Icm) 80A Strom - Kollektor (Ic) (max) 40A

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