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STD7NM80-1

STD7NM80-1
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Teilenummer STD7NM80-1
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 67525 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STD7NM80-1 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 67525 pcs Datenblatt STx7NM80(-1) Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK Serie MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 3.25A, 10V Verlustleistung (max) 90W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen 497-12787-5
STD7NM80-1-ND
STD7NM801		 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V detaillierte Beschreibung N-Channel 800V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc)

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