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STD150N3LLH6

STD150N3LLH6
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Teilenummer STD150N3LLH6
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 89383 pcs
Referenzpreis
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$0.387

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Product parameter

Teilenummer STD150N3LLH6 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 89383 pcs Datenblatt STx150N3LLH6
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 40A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-8889-2 Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)

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