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STD11N60DM2

STD11N60DM2
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Teilenummer STD11N60DM2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 68114 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Teilenummer STD11N60DM2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 68114 pcs Datenblatt STD11N60DM2 DatasheetPower Mgmt Guide Brochure
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 5A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-16925-1 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 614pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)

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