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STB43N60DM2

STB43N60DM2
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Teilenummer STB43N60DM2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET NCH 600V 34A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 34004 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
$1.101

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Zielpreis:(USD)
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Product parameter

Teilenummer STB43N60DM2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET NCH 600V 34A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 34004 pcs Datenblatt Power Mgmt Guide BrochureSTB43N60DM2 Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93 mOhm @ 17A, 10V Verlustleistung (max) 250W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)

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