STB150N3LH6
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| Teilenummer | STB150N3LH6 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N CH 30V 80A D2PAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.201 | $1.086 | $0.873 | $0.679 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STB150N3LH6 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N CH 30V 80A D2PAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 55334 pcs | Datenblatt | STB150N3LH6 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263 (D²Pak) | Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 40A, 10V | Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen | 497-13263-1 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
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