STB13N60M2
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| Teilenummer | STB13N60M2 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.098 | $0.992 | $0.797 | $0.62 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STB13N60M2 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 59439 pcs | Datenblatt | ST(B,D)13N60M2 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK | Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V | Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen | 497-13828-1 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 100V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
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