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STB11NM80T4

STB11NM80T4
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Teilenummer STB11NM80T4
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 27451 pcs
Referenzpreis
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$1.433

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Teilenummer STB11NM80T4 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 27451 pcs Datenblatt STx11NM80
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.5A, 10V Verlustleistung (max) 150W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-4319-2 Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43.6nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
detaillierte Beschreibung N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)

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