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STB10LN80K5

STB10LN80K5
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Teilenummer STB10LN80K5
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 59375 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STB10LN80K5 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 59375 pcs Datenblatt Power Mgmt Guide BrochureSTB10LN80K5
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630 mOhm @ 4A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 427pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V detaillierte Beschreibung N-Channel 800V 8A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)

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