SCT20N120
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| Teilenummer | SCT20N120 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.53 | $4.872 | $4.292 | |||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | SCT20N120 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 7685 pcs | Datenblatt | Power Mgmt Guide BrochureFine Tune SIC MOSFET Gate DriverSCT20N120 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse | HiP247™ | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 20V | Verlustleistung (max) | 175W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Andere Namen | 497-15170 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 20V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
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