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MJD122-1

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Teilenummer MJD122-1
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 153563 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$0.342$0.30$0.23$0.181$0.145

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Teilenummer MJD122-1 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 153563 pcs Datenblatt MJD122(T4,-1), MJD127(T4,-1)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A Transistor-Typ NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse TO-251-3 Serie -
Leistung - max 20W Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Andere Namen 497-16183
MJD122-1-ND
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang - detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Through Hole TO-251-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 4A, 4V Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8A Basisteilenummer MJD122

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