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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > UNR211E00L

UNR211E00L

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Teilenummer UNR211E00L
Hersteller Panasonic
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 1095798 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		3000 pcs6000 pcs
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Teilenummer UNR211E00L Hersteller Panasonic
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 1095798 pcs Datenblatt UNR211x Series
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse Mini3-G1 Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms
Leistung - max 200mW Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Andere Namen UN211E-(TX)
UN211E-TX
UN211ETR
UN211ETR-ND
UNR211E00LTR
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Frequenz - Übergang 150MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

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