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SG2803J-883B

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Teilenummer SG2803J-883B
Hersteller Microsemi
Beschreibung TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 5387 pcs
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Teilenummer SG2803J-883B Hersteller Microsemi
Beschreibung TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5387 pcs Datenblatt SG2800
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Transistor-Typ 8 NPN Darlington
Supplier Device-Gehäuse 18-CDIP Serie -
Leistung - max - Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse - Andere Namen 1259-1084
1259-1084-MIL
Q10610783
Q10991540
Q11657753
SG2803J883B
Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang - detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 350mA, 2V Strom - Collector Cutoff (Max) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA

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