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MS2200

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Teilenummer MS2200
Hersteller Microsemi
Beschreibung TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 4662 pcs
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Teilenummer MS2200 Hersteller Microsemi
Beschreibung TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4662 pcs Datenblatt MS2200
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 65V
Transistor-Typ NPN Supplier Device-Gehäuse M102
Serie - Leistung - max 1167W
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse M102
Betriebstemperatur 200°C (TJ) Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Befestigungsart Chassis Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Gewinnen 9.7dB
Frequenz - Übergang 400MHz ~ 500MHz detaillierte Beschreibung RF Transistor NPN 65V 43.2A 400MHz ~ 500MHz 1167W Chassis Mount M102
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max) 43.2A

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