JANTXV2N6770
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| Teilenummer | JANTXV2N6770 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | JANTXV2N6770 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5254 pcs | Datenblatt | 2N6764,66,68,70 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-204AE (TO-3) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V | Verlustleistung (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | TO-204AE |
| Andere Namen | JANTXV2N6770-MIL | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3) | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
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