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JANTXV1N5809

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Teilenummer JANTXV1N5809
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 4794 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		102 pcs
$6.603

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Zielpreis:(USD)
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$6.603

Product parameter

Teilenummer JANTXV1N5809 Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 4794 pcs Datenblatt 1N5807,9,11
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100V Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie Military, MIL-PRF-19500/477 Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30ns
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse B, Axial
Andere Namen 1086-2846
1086-2846-MIL		 Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 100V 3A Through Hole
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 100V Strom - Richt (Io) 3A
Kapazität @ Vr, F 65pF @ 10V, 1MHz

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