JAN2N7334
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| Teilenummer | JAN2N7334 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | JAN2N7334 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5044 pcs | Datenblatt | 2N7334 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | MO-036AB | Serie | Military, MIL-PRF-19500/597 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 10V | Leistung - max | 1.4W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Andere Namen | JAN2N7334-MIL | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V | Typ FET | 4 N-Channel |
| FET-Merkmal | Standard | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A |
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