JAN2N6798
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| Teilenummer | JAN2N6798 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | JAN2N6798 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5540 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-39 | Serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 5.5A, 10V | Verlustleistung (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | TO-205AF Metal Can |
| Andere Namen | JAN2N6798-MIL | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.07nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
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