JAN2N5666
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| Teilenummer | JAN2N5666 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | TRANS NPN 200V 5A TO5 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.635 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | JAN2N5666 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS NPN 200V 5A TO5 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5067 pcs | Datenblatt | 2N5664-65,66(S,U3),67(S) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 200V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5A, 1A | Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-5 | Serie | Military, MIL-PRF-19500/455 |
| Leistung - max | 1.2W | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | Andere Namen | 1086-21064 1086-21064-MIL |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 22 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 5A 1.2W Through Hole TO-5 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 1A, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 200nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 5A |
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