JAN2N5014S
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| Teilenummer | JAN2N5014S |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | NPN TRANSISTOR |
| Bleifreier Status / RoHS Status | RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | JAN2N5014S | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | NPN TRANSISTOR | Bleifreier Status / RoHS Status | RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5895 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 900V |
| Transistor-Typ | NPN | Supplier Device-Gehäuse | TO-39 (TO-205AD) |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/727 | RoHS-Status | RoHS non-compliant |
| Leistung - max | 1W | Verpackung / Gehäuse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 20mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |
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