JAN2N3811
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| Teilenummer | JAN2N3811 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | JAN2N3811 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5963 pcs | Datenblatt | 2N3810(L,U), 2N3811(L,U) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA | Transistor-Typ | 2 PNP (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-78-6 | Serie | Military, MIL-PRF-19500/336 |
| Leistung - max | 350mW | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-78-6 Metal Can | Andere Namen | 1086-2359 1086-2359-MIL |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 300 @ 1mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |
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