JAN2N3637L
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| Teilenummer | JAN2N3637L |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | TRANS PNP 175V 1A |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.328 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | JAN2N3637L | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS PNP 175V 1A | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 7321 pcs | Datenblatt | 2N3634-37(L,UB) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 175V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA | Transistor-Typ | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-5 | Serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| Leistung - max | 1W | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | Andere Namen | 1086-20892 1086-20892-MIL |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 23 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 50mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
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