APTSM120AM25CT3AG
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| Teilenummer | APTSM120AM25CT3AG |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | POWER MODULE - SIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $97.788 | |||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | APTSM120AM25CT3AG | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | POWER MODULE - SIC | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 397 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 4mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP3 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 80A, 20V | Leistung - max | 937W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP3 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 1000V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 544nC @ 20V | Typ FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Merkmal | Silicon Carbide (SiC) | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 148A (Tc) 937W Chassis Mount SP3 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 148A (Tc) |
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