APTM100A46FT1G
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| Teilenummer | APTM100A46FT1G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTM100A46FT1G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4205 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPTM100A46FT1G |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP1 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 552 mOhm @ 16A, 10V | Leistung - max | 357W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP1 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19A |
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