APTC90H12T2G
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| Teilenummer | APTC90H12T2G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTC90H12T2G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 3996 pcs | Datenblatt | APTC90H12T2G |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP2 | Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V | Leistung - max | 250W |
| Verpackung | Tray | Verpackung / Gehäuse | SP2 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Typ FET | 4 N-Channel (H-Bridge) | FET-Merkmal | Super Junction |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A |
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