APTC80A10SCTG
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| Teilenummer | APTC80A10SCTG |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $30.026 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTC80A10SCTG | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 1118 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPTC80A10SCTG |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP4 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 21A, 10V | Leistung - max | 416W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP4 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6761pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V | Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal | Standard | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 42A 416W Chassis Mount SP4 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 42A |
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