APTC60DDAM35T3G
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| Teilenummer | APTC60DDAM35T3G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $18.816 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTC60DDAM35T3G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 1626 pcs | Datenblatt | APTC60DDAM35T3GPower Products Catalog |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP3 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 72A, 10V | Leistung - max | 416W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP3 |
| Andere Namen | APTC60DDAM35T3GMP APTC60DDAM35T3GMP-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 518nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) | FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 72A |
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