APT75M50B2
OMRON AUTOMATION & SAFETYBilder dienen nur als Referenz.
siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
Kaufen Sie APT75M50B2 mit Vertrauen von Components-World.HK, 1 Jahr Garantie
siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
Kaufen Sie APT75M50B2 mit Vertrauen von Components-World.HK, 1 Jahr Garantie
Angebot anfordern
| Teilenummer | APT75M50B2 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT75M50B2 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4412 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPT75M50(B2,L) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V | Verlustleistung (max) | 1040W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
| Andere Namen | APT75M50B2MI APT75M50B2MI-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
- Ähnliche Produkte
- Ähnliche Neuigkeiten
Ähnliche Produkte
- Teil#:
APT75GP120B2G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX - Auf Lager:
3990
- Teil#:
APT75GN60LDQ3G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 600V 155A 536W TO264 - Auf Lager:
11814
- Teil#:
APT75GN120LG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 200A 833W TO264 - Auf Lager:
7890
- Teil#:
APT77N60BC6 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 - Auf Lager:
7035
- Teil#:
APT75GN60B2DQ3G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 600V 155A 536W TO264 - Auf Lager:
5086
- Teil#:
APT77N60JC3 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 - Auf Lager:
3127
- Teil#:
APT75GP120JDQ3 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 128A 543W SOT227 - Auf Lager:
3275
- Teil#:
APT75GT120JRDQ3 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 97A 480W SOT227 - Auf Lager:
3110
- Teil#:
APT75GT120JU3 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 - Auf Lager:
3603
- Teil#:
APT75GP120J - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 128A 543W SOT227 - Auf Lager:
2888
- Teil#:
APT77N60SC6 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK - Auf Lager:
6333
- Teil#:
APT8014JLL - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 - Auf Lager:
6020
- Teil#:
APT75GN60BG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 600V 155A 536W TO247 - Auf Lager:
21546
- Teil#:
APT75GT120JU2 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 100A 416W SOT227 - Auf Lager:
3711