APT75F50B2

OMRON AUTOMATION & SAFETYBilder dienen nur als Referenz.
siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
Kaufen Sie APT75F50B2 mit Vertrauen von Components-World.HK, 1 Jahr Garantie
siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
Kaufen Sie APT75F50B2 mit Vertrauen von Components-World.HK, 1 Jahr Garantie
Angebot anfordern
| Teilenummer | APT75F50B2 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 60 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.126 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT75F50B2 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5270 pcs | Datenblatt | APT75F50B2,50L |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ [B2] | Serie | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V | Verlustleistung (max) | 1040W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 21 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
- Ähnliche Produkte
- Ähnliche Neuigkeiten
Ähnliche Produkte
- Teil#:
APT75GN120J - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227 - Auf Lager:
4849
- Teil#:
APT75GN120JDQ3G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227 - Auf Lager:
5574
- Teil#:
APT75GN120B2G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 200A 833W TMAX - Auf Lager:
6228
- Teil#:
APT75DL120HJ - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOD DIODE 1200V SOT-227 - Auf Lager:
4864
- Teil#:
APT70GR65B2SCD30 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - Auf Lager:
5487
- Teil#:
APT75DF170HJ - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOD DIODE 1700V SOT-227 - Auf Lager:
3320
- Teil#:
APT75GN60B2DQ3G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 600V 155A 536W TO264 - Auf Lager:
5086
- Teil#:
APT75GP120B2G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX - Auf Lager:
3990
- Teil#:
APT75DQ100BG - Hersteller:
Microsemi Corporation - Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 - Auf Lager:
23286
- Teil#:
APT75GN60BG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 600V 155A 536W TO247 - Auf Lager:
21546
- Teil#:
APT75GN120JDQ3 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227 - Auf Lager:
4478
- Teil#:
APT75GN120LG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 200A 833W TO264 - Auf Lager:
7890
- Teil#:
APT75DQ60BG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 - Auf Lager:
36120
- Teil#:
APT75DQ120BG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 - Auf Lager:
30592
- Teil#:
APT75GN60LDQ3G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 600V 155A 536W TO264 - Auf Lager:
11814
