APT65GP60B2G
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| Teilenummer | APT65GP60B2G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 833W TMAX |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 270 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $7.749 | $7.046 | $6.518 | $5.989 | $5.461 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT65GP60B2G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 833W TMAX | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5980 pcs | Datenblatt | APT65GP60B2 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A | Testbedingung | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 30ns/91ns | Schaltenergie | 605µJ (on), 896µJ (off) |
| Serie | POWER MOS 7® | Leistung - max | 833W |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Standard | IGBT-Typ | PT |
| Gate-Ladung | 210nC | detaillierte Beschreibung | IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 250A | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100A |
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