APT58M80J
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| Teilenummer | APT58M80J |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $19.142 | $18.016 | $16.89 | $16.102 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT58M80J | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 2256 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPT58M80J |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-227 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 43A, 10V | Verlustleistung (max) | 960W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Andere Namen | APT58M80JMI APT58M80JMI-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17550pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 60W (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60W (Tc) |
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