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Teilenummer APT50GP60J
Hersteller Microsemi
Beschreibung IGBT 600V 100A 329W SOT227
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 5984 pcs
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Teilenummer APT50GP60J Hersteller Microsemi
Beschreibung IGBT 600V 100A 329W SOT227 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5984 pcs Datenblatt APT50GP60J
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®
Serie POWER MOS 7® Leistung - max 329W
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor No Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 5.7nF @ 25V Eingang Standard
IGBT-Typ PT detaillierte Beschreibung IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Collector Cutoff (Max) 500µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100A
Konfiguration Single

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