APT26F120B2
OMRON AUTOMATION & SAFETYBilder dienen nur als Referenz.
siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
Kaufen Sie APT26F120B2 mit Vertrauen von Components-World.HK, 1 Jahr Garantie
siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
Kaufen Sie APT26F120B2 mit Vertrauen von Components-World.HK, 1 Jahr Garantie
Angebot anfordern
| Teilenummer | APT26F120B2 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 30 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.423 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT26F120B2 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 3436 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPT26F120(B2,L) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 14A, 10V | Verlustleistung (max) | 1135W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
| Andere Namen | APT26F120B2MI APT26F120B2MI-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 21 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9670pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 1200V 27A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 27A (Tc) |
- Ähnliche Produkte
- Ähnliche Neuigkeiten
Ähnliche Produkte
- Teil#:
APT25GR120BSCD10 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 75A 521W TO247 - Auf Lager:
5395
- Teil#:
APT27ZTR-G1 - Hersteller:
Diodes Incorporated - Beschreibung:
TRANS NPN 450V 0.8A TO92 - Auf Lager:
674206
- Teil#:
APT27HZTR-G1 - Hersteller:
Diodes Incorporated - Beschreibung:
TRANS NPN 450V 0.8A TO92 - Auf Lager:
1135515
- Teil#:
APT25GR120SD15 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK - Auf Lager:
13447
- Teil#:
APT28M120L - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 - Auf Lager:
4772
- Teil#:
APT25GR120SSCD10 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK - Auf Lager:
4271
- Teil#:
APT25GR120BD15 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 75A 521W TO247 - Auf Lager:
20600
- Teil#:
APT26M100JCU2 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 - Auf Lager:
3091
- Teil#:
APT25GT120BRDQ2G - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 54A 347W TO247 - Auf Lager:
14239
- Teil#:
APT25GR120S - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK - Auf Lager:
23307
- Teil#:
APT26F120L - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 - Auf Lager:
5810
- Teil#:
APT26M100JCU3 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 - Auf Lager:
2861
- Teil#:
APT27GA90BD15 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 900V 48A 223W TO247 - Auf Lager:
20799
- Teil#:
APT25GT120BRG - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
IGBT 1200V 54A 347W TO247 - Auf Lager:
24431
- Teil#:
APT28M120B2 - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX - Auf Lager:
4330
- Teil#:
APT25M100J - Hersteller:
Microsemi - Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 - Auf Lager:
4070