APT18M80B
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| Teilenummer | APT18M80B |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.662 | $3.002 | $2.709 | $2.27 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT18M80B | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 14491 pcs | Datenblatt | APT18M80(B,S)Power Products Catalog |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] | Serie | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 9A, 10V | Verlustleistung (max) | 500W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3760pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19A (Tc) |
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