APT1001R1BN
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| Teilenummer | APT1001R1BN |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT1001R1BN | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4670 pcs | Datenblatt | APT1001R1BN, APT1001R3BN |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247AD | Serie | POWER MOS IV® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V | Verlustleistung (max) | 310W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 1000V 10.5A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.5A (Tc) |
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